Чипмейкеры анонсировали технологии с уровнем детализации 7 нм

Чипмейкеры анонсировали технологии с уровнем детализации 7 нм

На открывшейся на этой неделе промышленной конференции IEDM наибольший контрактный производитель микросхем, TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), сказал подробности первого технологического процесса с уровнем детализации 7 нм.

Чтобы показать в действии новейшую версию собственной технологии 3D FinFET, компания изготовила с её помощью полнофункциональный тестовый чип SRAM ёмкостью 256 Мб с рекордно малой площадью ячейки памяти – 0,027 кв. мкм.

TSMC сказала, что переход с 16– на 7-нанометровый процесс даёт 40%-й прирост быстродействия и снижает энергопотребление на транзисторном уровне на 65%. Помимо этого, размеры устройства уменьшаются более, чем в два раза. Показательно, что в этом сравнении TSMC не применяет 10– и 12-нанометровые процессы, каковые в индустрии считаются переходными.

Изготовление полноценного чипа с хорошими надёжностью и быстродействием, и с высоким выходом годной продукции (~50% для SRAM, но значительно меньше для логики) это впечатляющее достижение тайваньского производителя. TSMC выделила, что приложит максимальное колличество усилий для скорейшего вывода на рынок 7-нанометровых чипов собственных клиентов.

Соперничающий с TSMC альянс GlobalFoundries, Samsung Electronics и IBM кроме этого представил 7-нанометровый процесс. Действительно, в отличие от разработки TSMC, применяющей иммерсионную литографию с длиной волны 193 нм, версия альянса базируется на EUV-литографии (Extreme Ultra-Violet), которая выйдет на массовый уровень производства только в 2018–2019 гг.

Так, разработка альянса стартует позднее, но она разрешит достигнуть надёжности и лучшей производительности, и более низкой себестоимости продукции.

TSMC собирается начать крупномасштабный выпуск 10-нанометровых микросхем в текущем квартале, а переход на 7 нм намечен на конец 2017 г. Samsung уже внедрила 10-нанометровую разработку, а GlobalFoundries по большому счету собирается пропустить данный этап и приступить к «рискованному производству» с уровнем детализации 7 нм в начале 2018 г.

Intel отложила дебют 10-нанометровых продуктов до второй половины следующего года, а тем временем выпустила третье семейство 14-нанометровых процессоров, Kaby Lake. направляться подчернуть, что заглавия технологических узлов до некоей степени условны и технологии Intel на их современном уровне в полной мере сопоставимы по главным размерам изделий с 10-нанометровыми процессами контрактных производителей.

Технология — Странные танцы


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: