Ibm анонсировала самую компактную и быстродействующую память edram

Ibm анонсировала самую компактную и быстродействующую память edram

IBM сказала об успешной разработке прототипа самого компактного, ёмкого и быстродействующего в полупроводниковой индустрии устройства динамической памяти, произведённого по 32-нм технологии кремния на чипе (silicon-on-insulator, SOI). Последняя даёт возможность до 30% расширить производительность и до 40% снизить энергопотребление по сравнению со стандартной кремниевой разработкой. SOI защищает транзисторы «одеялом» диэлектрика, мешающего утечкам тока, благодаря чему экономится энергия и достигается более действенная работа.

Чип представляет собой встраиваемую энергозависимую память с произвольным доступом (embedded dynamic random access memory, eDRAM) с мельчайшей, как утверждает IBM, ячейкой в индустрии, а ёмкость и быстродействие превышают показатели статической памяти с произвольным доступом (static random access memory, SRAM), выполненной по 32-нм и 22-нм техпроцессам, и сравнимы с SRAM, если бы она производилась с применением 15-нм технологии. Любая ячейка в два раза компактнее, чем каждая таковая для 22-нм встроенной статической памяти, включая объявленную самой IBM в августе 2008 года.

Для новой разработки свойственны задержки менее 2 нс. В режиме простоя чип потребляет в четыре раза меньше энергии довольно существующих образцов, а количество вызванных электрическими зарядами неточностей снижено в 1000 раз. eDRAM может употребляться в принтерах, сетевых устройствах, совокупностях хранения. IBM собирается использовать 32-нм разработку SOI в специальных интегральных микросхемах (application-specific integrated circuit, ASIC) и чипах для серверов.

Разработка нового типа памяти уже предложена некоторым производителям специальных микросхем. Одной из первых компаний, которая начала планирование внедрения новой памяти, стала компания ARM, эксперты которой уже начали разработку библиотек программ, посредством что будет происходить работа их процессоров с новым типом памяти. Так же, в скором времени новая память будет употребляться в составе серверных платформ производства IBM.

Первые образцы данной памяти будут представлены компанией IBM вниманию общественности Интернациональной конференции по электронным устройствам (International Electron Devices meeting), которая пройдёт в декабре месяце этого года.

Опубликовано вNanoWeek,

  • Прошлая статья:Учёные предлагают вдыхать стволовые клетки через шнобель
  • Следующая статья:Новый прорыв в области спинтроники

I-dram Steve Jobs


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: