Компания samsung начала серийный выпуск 64-слойной флэш-памяти v-nand

Компания samsung начала серийный выпуск 64-слойной флэш-памяти v-nand

Компания Samsung Electronics сказала о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, применяемых в серверах, ПК и мобильных устройствах.

Отгрузка ознакомительных образцов SSD, в которых употребляется указанная память, началась еще в январе. на данный момент производитель разрабатывает изделия вторых категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, каковые он рассчитывает представить позднее в текущем году.

Наращивая выпуск 64-слойных микросхем V-NAND, каковые в противном случае именуются V-NAND четвертого поколения, производитель планирует, что до Января этого года они будут составлять более полвины всего производимого им количества флэш-памяти.

Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по три бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что есть рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Помимо этого, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение приблизительно в четыре раза меньше значения, обычного для планарной флэш-памяти, изготовленной по разработке 10-нанометрового класса.

Если сравнивать с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотность 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности есть на 30% энергетически более действенной, потому, что напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. Наряду с этим надежность увеличилась на 20%.

Источник: Samsung Electronics

Начат серийный выпуск SSD Samsung PM1643 объемом 30,72 ТБ


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: