Новые температурные условия для экситонных микросхем

Физики университета Калифорнии в Сан-Диего (UCSD), отличившиеся созданием первой микросхемы на экситонных транзисторах, добились большого увеличения температуры её работы. Новое достижение ещё больше приблизило к действительности появление ультрабыстрых компьютеров.

В для того чтобы рода транзисторах при обработке сигналов употребляются экситоны — квазичастицы, каковые являются дырки и электрона связанное состояние проводимости. Экситоны смогут образовываться в полупроводнике под действием света; распад квазичастицы — рекомбинация составляющих ее дырки и электрона — проходит с излучением фотона.

«Наличие взаимосвязи между фотонами и экситонами разрешает с легкостью объединять вычислительные и скоростные [волоконно-оптические] передающие устройства», — поясняет начальник группы Леонид Бутов из Калифорнийского университета в Сан-Диего.

Ранее американцы смогли заполучить контроль над экситонными потоками десять или одинадцать месяцев назад. Но тогда их микросхема трудилась только при 1,5 кельвина (–271 °C). Такую «мерзлоту» до тех пор пока возможно создать лишь в лабораторных условиях.

В собственной новой статье, размещённой в издании Nature Photonics, авторы работы пишут, что сейчас им удалось добиться увеличения рабочей температуры схемы до 125 Кельвинов (–148 °C), что соответствует жидкому азоту. Если сравнивать с начальным вариантом – это легко жара.

В это же время цена литра этого вещества сопоставима с ценой литра бензина, отмечает PhysOrg.com. Намекая, по всей видимости, на то, что сейчас вынудить трудиться потенциальный компьютер будет значительно легче.

Отечественной целью есть создание устройства, которое бы трудилось на экситонах при комнатной температуре. Такая аппаратура вытеснила бы простую электронику, — говорит Леонид Бутов.

Новые температурные условия для экситонных микросхем

Выращенная учеными структура (иллюстрация авторов работы)

Главными элементами усовершенствованных полупроводниковых гетероструктур, выращенных способом молекулярно-пучковой эпитаксии, стали слои арсенида галлия и арсенида алюминия (GaAs/AlAs). Помимо этого, физики включили в работу экситонный оптоэлектронный транзистор и несколько особых экситонных модуляторов. В опытах новые экситонные транзисторы сохраняли работоспособность при температурах около 100 К (в пределе — до 125 К).

Опубликовано вNanoWeek,

  • Прошлая статья:Физики измерили тягу микроскопических световых двигателей
  • Следующая статья:Инженеры трудятся над солнечными коллекторами третьего поколения

Урок по пайке. Пайка планарной микросхемы с помощью фена.


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: