Новый tmr-элемент может стать базой для 10 гбит mram

Новый tmr-элемент может стать базой для 10 гбит mram

Японские исследователи сказали о создании нового туннельного магниторезистивного элемента (tunnel magnetoresistance, TMR) с низким высокой стабильностью и током записи хранения данных, – условиями, нужными для повышения емкости перезаписываемой энергонезависимой памяти магниторезистивного типа (magnetoresistive RAM, MRAM).

В коллектив разработчиков вошли эксперты из группы изучения спинтроники Университета наноэлектроники при Японском национальном университете и их коллеги из Университета передовых технологии и наук (Advanced Industrial Science and Technology, AIST). Предполагается, что полученный TMR-элемент возможно использован для MRAM-памяти емкостью 10 Гбит и более.

В TMR-элементах, создаваемых до сих пор, процесс их миниатюризации сопровождался вынужденным балансированием между стабильностью тока и величиной записи данных. Узкий намагниченный вольный слой запоминающей ячейки появился неустойчив, и мог самопроизвольно поменять собственный состояние, в особенности довольно часто из-за температурного действия. Повышение толщины свободного слоя разрешало расширить стабильность элемента, но в один момент потребовало и повышения тока записи.

Согласно данным исследователей, им удалось уйти от вышеописанной зависимости за счет применения комбинации материалов для свободного слоя. Композит складывается из немагнитного слоя рутения (Ru), помещенного между двумя ферромагнитными слоями сплава кобальт-железо-бор (CoFeB). Толщина немагнитного слоя подобрана так, что переключение состояния элемента сопровождается перемагничиванием обоих ферромагнитных слоев.

В следствии сопротивление термическому действию удалось расширить в пять раз, наряду с этим величина тока записи возросла лишь на 80%.

До тех пор пока что трехслойный композит свободного слоя имеет горизонтальное намагничивание, но с целью повышения плотности записи планируется освоить и вертикальное намагничивание. Исследователи сказали, что на базе текущего варианта созданного TMR-элемента возможно выстроить MRAM-память емкостью 1 Гбит, а переход на перпендикулярное намагничивание разрешит расширить данный показатель в десять раз. Для сравнения – количество памяти MRAM в составе производимых на данный момент чипов не превышает 32 Мбит.

Опубликовано вNanoWeek,

  • Прошлая статья:Русские ученые создали быстродействующие жидкокристаллические ячейки
  • Следующая статья:Рентгеновские снимки станут цветными благодаря коллайдеру

Easy 10x Network Speed Upgrade


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: