Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров

РИА Новости. Ученые кафедры физики жёсткого тела и наносистем Университета лазерных и плазменных разработок НИЯУ МИФИ в сотрудничестве со экспертами из Университета физики жёсткого тела РАН, а кроме этого Университета неприятностей разработки микроэлектроники и особочистых материалов РАН предложили новые материалы, в которых возможно реализован биполярный эффект резистивных переключений.

Эти материалы смогут стать базой для разработки компьютера на базе мемристоров, каковые не лишь хранят, но и обрабатывают данные подобно нейронам мозга человека. Результаты размещены в издании Materials Letters.

Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров

Мемристивный чип в корпусе, размещенный в стандартном контактирующем устройстве
(для тестирования параметров мемристивных наноструктур)
© Е.Емельянова (НИФТИ ННГУ)

Изучения этого явления сейчас ведутся во всем мире, причем как в фундаментальной области науки, так и в свете прикладных задач: биполярный эффект резистивных переключений возможно использован для создания энергонезависимых двухтерминальных ячеек памяти, а кроме этого мемристора — четвертого фундаментального элемента электроники. Мемристоры смогут стать базой для нового подхода к обработке информации, — так именуемого мемкомпьютинга.

Мемкомпьютингом именуют новый метод обработки информации, в то время, когда оперативная память и «долгосрочная» (жесткий диск) осуществляется одними и теми же элементами, — подобно нейронам головного мозга.

Эффект резистивных переключений проявляется в том, что под действием внешнего электрического поля проводимость материала может изменяться на пара порядков величины. Так, реализуются два метастабильных состояния — высокорезистивное и низкорезистивное. В случае если темперамент переключения зависит от направления электрического поля, эффект именуется биполярным.

Сам физический механизм переключения зависит от типа материала — это возможно образование проводящих каналов за счет миграции ионов металла, формирование барьеров Шоттки, фазовые переходы металл-диэлектрик и другие.

В НИЯУ МИФИ ведут поиск новых материалов, в которых возможно реализован биполярный эффект резистивных переключений. Ранее было продемонстрировано, что он отмечается в совокупностях с сильными электронными корреляциями, к ним относятся, к примеру, материалы с большим магнетосопротивлением, а кроме этого высокотемпературные сверхпроводники.

В следствии научных изучений, ученые остановили собственный выбор на эпитаксиальных пленках, каковые образуются на поверхности монокристаллической подложки из титаната стронция (эпитаксия — это закономерное и упорядоченное нарастание одного кристаллического материала на втором). Ученые доказали возможность применения этих пленок для создания мемристоров для компьютеров нового поколения.

«Новизна отечественной работы пребывает в применении способа литографии, что разрешает создать разработку миниатюризации элементов резистивной памяти», – прокомментировал доцент кафедры физики жёсткого тела и наносистем НИЯУ светло синий Андрей Иванов.

Источник: РИА Новости

Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров РИА Новости, 31.08.2017


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: