Samsung наращивает выпуск самой быстрой памяти dram — микросхем hbm2 объемом 8 гб

Samsung наращивает выпуск самой быстрой памяти dram — микросхем hbm2 объемом 8 гб

Компания Samsung Electronics заявила об повышении количеств выпуска микросхем памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) количеством 8 ГБ. По словам производителя, он пытается удовлетворить потребность в данной памяти «в широком спектре приложений», включая средства ИИ, суперкомпьютерные вычисления, графические ответы, корпоративные серверы и сетевые системы.

Микросхемы HBM2 количеством 8 ГБ, производимые Samsung, демонстрируют высокие показатели производительности, энергетической эффективности и надёжности. Такая микросхема складывается из восьми кристаллов памяти и нижнего буферного кристалла. Любой кристалл памяти имеет более 5 000 контактов TSV для межслойного соединения, другими словами в одной микросхеме Samsung HBM2 количеством 8 ГБ насчитывается более 40 000 соединений.

Это дает возможность приобрести громадную надёжность и пропускную способность, потому, что эти машинально перенаправляются по вторым соединениям, в случае если распознана задержка передачи. Пропускная свойство HBM2 равна 256 ГБ/с. Для сравнения: микросхема GDDR5 характеризуется пропускной свойством 32 ГБ/с.

Производитель кроме этого отмечает наличие средств защиты от перегрева.

В компании Samsung рассчитывают, что в первой половине будущего года микросхемы HBM2 количеством 8 ГБ будут составлять более половины всех микросхем HBM2, производимых на ее мощностях.

Источник: Samsung Electronics

Маленький объем оперативной памяти ? Не беда — мы расскажем как ее увеличить!


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: