Sk hynix и micron пытаются догнать samsung в технологиях производства dram

Sk hynix и micron пытаются догнать samsung в технологиях производства dram

Компании SK Hynix и Micron, занимающие соответственно третье и второе места в мировом рейтинге производителей микросхем памяти DRAM, пробуют догнать в технологическом отношении компанию Samsung. Они планируют за южнокорейским производителем освоить выпуск микросхем памяти DRAM 10-нанометрового класса.

Компания SK Hynix, трудясь над повышением процента выхода годной продукции по нормам 21 нм, в один момент готовит к серийному производству 18-нанометровый техпроцесс. Во втором полугодии обязан начаться выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM для компьютеров, а позднее — и для мобильных устройств.

Компания Micron, начавшая выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM в прошлом квартале, собирается в течение ближайших двух-трех лет инвестировать 2 миллиардов долларов в изучения, направленные на разработку 13-нанометрового техпроцесса для выпуска памяти DRAM. Определенные шаги, включая расширение «чистой помещения» на японском предприятии и закупку передового оборудования, уже сделаны. По имеющимся оценкам, переход с норм 18 нм на нормы 13 нм повысит производительность линий более чем на 20%.

Что касается компании Samsung Electronics, она начала выпуск 18-нанометровой памяти DRAM еще в марте прошлого года. Во второй половине этого года Samsung планирует начать серийный выпуск 15-нанометровой памяти DRAM. По словам источника, Samsung опережает соперников на один-два года.

Источник: CDRinfo

РуSSкие дети — сейчас будем её пытать


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: