Создан новый тип памяти, способной обеспечить сохранность данных на протяжении тысячи лет

Исследовательская группа из университета Кобэ (Kobe University), Япония, создала разработку, разрешающую создавать устройства хранения информации, талантливые обеспечить сохранность записанных в них данных в течении одной тысячи лет. Также, чипы таковой памяти имеют показатель плотности записи информации, сопоставимые с подобным показателем современных твёрдых дисков.

Работа памяти нового типа основана на технологии создания железных наноточек, расположенных в местах пересечения линий выбора адреса и бита, организованных на кремниевой подложке. Наличие наноточки воздействует на значение электрической емкости между двумя проводниками, и измеренное значение данной емкости возможно перевоплотить в значение логической 1 либо 0.

Создан новый тип памяти, способной обеспечить сохранность данных на протяжении тысячи лет

Потому, что эти кодируются при помощи железных частиц, вся эта разработка есть стойкой по отношению к температуре, временной деградации и давлению. А вдруг запечатать чип памяти в предохранительную оболочку, то эти на этом чипе смогут храниться в течение весьма продолжительного периода времени. Особые элементы на чипе разрешат ему приобретать энергию, передаваемую беспроводным методом, а чтение информации кроме этого будет производиться при помощи беспроводных разработок.

В качестве демонстрации японские исследователи предоставили опытный образец чипа памяти, что имеет четыре информационных слоя. Данный чип был изготовлен при помощи стандартной 180-нанометровой CMOS-технологии, наряду с этим, показатель плотности записи информации составил 10 Гбит на квадратный дюйм. Но в случае если при изготовлении чипов памяти применять 14-нанометровую разработку и расширить количество информационных слоев до семи, то возможно взять показатель плотности, равный 1 Тбит на квадратный дюйм.

Скорость чтения информации с умелого кристалла мала и образовывает около 40 килобит в секунду. Но ее возможно будет поднять в будущем при помощи более быстродействующих аналого-цифровых преобразователей и других электронных компонентов.

Конечно, что проверка времени хранения информации производилась учеными при помощи разработки ускоренной временной деградации под действием большой температуры. Данный способ дает пара приблизительный итог, но и эти приблизительные результаты продемонстрировали, что срок хранения информации составит не меньше одной тысячи лет.

Intel Optane: Сверхбыстрая память.


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: