Создан полевой транзистор n-типа из графеновой наноленты

Создан полевой транзистор n-типа из графеновой наноленты

Объединенная группа исследователей из трех американских университетов – первая, кому удалось создать транзистор n-типа, применяя новый и до тех пор пока еще экзотический материал толщиной в один атом, известный как графен.

Эти результаты имеют громадное значение, потому, что открывают путь к созданию скоростных компьютерных микросхем меньшего размера, о чем мы писали намедни (см. http://www.nanonewsnet.ru/…i-ploshchadi). Такие микросхемы разрешат более действенно трудиться с громадными файлами и передавать данные в линиях связи.

Исследовательская несколько, объединившая экспертов из Университета Флориды, Стэнфордского университета и Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса создала разработку легирования графена, которая разрешает создавать на его базе полупроводниковые материалы с электронным типом проводимости.

Данные исследований только что размещены в издании Science (N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia)

По словам Йин Гуо (Jing Guo), адъюнкт-доктора наук Университета Флориды и одного из ведущих участников изучений, задача образования графеновых полупроводников p-типа была решена достаточно давно, и ученым из межуниверситетской команды было нужно искать полностью новые методы модифицирования графена. Возможности его использования на практике во многом определяются тем, как дешёвым и легким будет процесс получения полупроводникового материала n-типа.

В собственной работе авторы применяли так именуемые графеновые наноленты (узкие полосы, ширина которых не превышает 100 нм). Для придания материалу нужных особенностей он нагревался в присутствии паров аммиака, что приводило к образованию связей между атомами углерода и азота, расположенными по краям ленты. Как информируют ученые, по окончании таковой обработки края нанолент стали более ровными, что должно положительно сказаться на чертях будущих полупроводниковых устройств.

Взяв материал искомого типа проводимости, исследователи сконструировали на его базе первый в мире графеновый полевой транзистор n-типа, действующий при комнатной температуре. Но, как вычисляет д-р Гуо, ожидать скорого развертывания производства аналогичных транзисторов не следует, потому, что главным сдерживающим данный прогресс причиной остается цена самого графена.

Главную часть изучений профинансировали Национальный Фонд Научных изучений США, компания Intel и Департамент Научных изучений ВМФ.

Евгений Биргер

Опубликовано вNanoWeek,

  • Следующая статья:Итоги олимпиады «Нанотехнологии – прорыв в будущее»

Как проверить полевой транзистор с помощью тестера.


Темы которые будут Вам интересны: