Топологические изоляторы предлагают отличное решение проблемы магнитной памяти

Топологические изоляторы предлагают отличное решение проблемы магнитной памяти

Теория топологических изоляторов показалась в 2005 году, а в 2007 на протяжении опыта был взят первый в мире пример – диэлектрик талантливый проводить ток на поверхности, став новым классом материалов для электроники. Была надежда на то, что с его помощью удастся осуществлять контроль вращение электрона,а после этого и полями «спинтроники».

Предполагалось, что

плутоний и уран смогут играть роль топологических изоляторов, но большая часть из них складываются из сплавов висмута.

Проводя совместное изучение, ученые-физики из университета штата Пенсильвания и Корнельского университета (США) применяли в качестве топографического изолятора селенистый висмут в сочетании с простым ферромагнитным сплавом, дабы создать материал, талантливый осуществлять контроль магнитную память в 10 раз действеннее любого другого материала.

«Это воистину немыслимое открытие в данной области, поскольку это первый показатель того, что мы вправду можем создать практичную разработку с этими топологическими изоляторами. Отечественный опыт применяет преимущества особенной поверхности селенистого висмута, что по собственной природе поддерживает поток электронов с определенным вращением», – говорит доктор физических наук университета штата Пенсильвания Нитин Самарс (Nitin Samarth).

Команда ученых Корнельского университета поняла, что при комнатной температуре посредством этих электронов возможно осуществлять контроль направление магнитной полярности в расположенных рядом материалах.

«Изучение отечественной команды преодолело одну из громаднейших трудностей разработки разработок спинтроники, основанной на поясницу-орбитальной связи – эффективность, с которой простой ток возможно преобразован в спиновой», – говорит ассистент научного руководителя в Корнельском университете Дэн Ральф.

В изучении, опубликованном несколько дней назад в издании Nature, высказывается надежда на то, что удастся отыскать экономичный метод переориентировать намагничивание, применяя мельчайшее количество ресурсов.

В собственных опытах исследователи узнали, что ток, проходящий через узкую пленку топологического изолятора, может иметь сильное влияние на вращение электронов в находящихся рядом ферромангнитных материалах.

«Стремительный прогресс в данной области демонстрирует университет штата другие лаборатории и Пенсильвания в мире, показывая, что «топологические спинтроники» имеют громадные возможности и смогут стать привлекательным ответвлением более классических подходов к спитронным разработкам», – говорит Самарс.

Belgrade with Boris Malagurski | HD


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: