Впервые создана транзисторная микросхема из нанотрубок

Инженеры из Стэнфорда (Stanford University) презентовали чип, изготовленный из углеродных нанотрубок (CNT). На сегодня это самоё удачное ответ давешней неприятности ухудшения проводимости при сборе таких материалов в упорядоченный массив.

В представленном на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) чипе (см рис) транзисторы сгруппированы в «каскадной» последовательности, нужной для функционирования вычислительной памяти и логики, и всецело совместимы с современными стандартами интегральных схем.

Впервые создана транзисторная микросхема из нанотрубок

Электронная фотография транзисторов из углеродных нанотрубок, замкнутых в новую схему (фото Stanford University)

В чипе использовано пара оптимизирующих разработок, изобретённых инженерами Стэнфорда. Новая методика носит название «СБИС удаление железных нанотрубок» (VLSI-compatible Metallic Nanotube Removal – VMR). Как возможно додуматься из заглавия, разработка предназначена для ответа важной проблемой транзисторов для того чтобы типа – железных нанотрубок, каковые пропускают ток неизменно, кроме того в то время, когда это не нужно, и смогут привести к маленькому замыканию.

VMR основана на идее разбивать нанотрубки высоким напряжением, в первый раз предложенной IBM в 2001 году. Кратко: учёные нашли совместимый со СБИС-стандартом метод создания сетки электродов, которая не только изымает неправильно трудящиеся трубки, но и может употребляться для построения различных типов схем.

Это вправду ход вперёд, сейчас мы можем создавать целые схемы вместо одиночных транзисторов. Разработка применения углеродных нанотрубок стала женой пределы чисто научной области и приближается к сфере производства, — говорит один из авторов изучения Филипп Вонг (H.-S. Philip Wong).

Кроме другого интегральная схема, продемонстрированная стэнфордскими инженерами, владела трёхмерной «планировкой» и выстроена была с применением многослойных углеродных нанотрубок. Такое размещение уменьшает затраты энергии, нужной для передачи данных, и разрешает поместить больше транзисторов на одном чипе. Больше информации о VMR и трёхмерных схемах возможно почерпнуть в пресс-релизе университета.

Опубликовано вNanoWeek,

  • Прошлая статья:НАИРИТ и Совет молодых учёных при Президиуме РАН ратифицировали договор о сотрудничестве
  • Следующая статья:IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов

Как создать скин в CS:GO [ЧАСТЬ 1]


Темы которые будут Вам интересны:

Читайте также: